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nba下注官网 乾野微纳科技申请碳化硅功率器件封装结构专利,彻底解决传统封装散热效率低的问题
发布日期:2026-01-29 19:01 点击次数:100

国家知识产权局信息显示,无锡市乾野微纳科技有限公司申请一项名为“一种碳化硅功率器件封装结构”的专利,公开号CN121398599A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种碳化硅功率器件封装结构,属于芯片封装技术领域,包括底板,底板的顶端设置有顶板,且顶板和底板之间设置有芯片本体,顶板的内部设置有散热机构,散热机构包括固定安装在顶板内部的冷却水管,顶板的内部设置有隔板,且吸附隔板位于冷却水管和芯片本体之间,吸附隔板的表面固定安装有多个导热块,顶板靠近芯片本体的内部设置有搅动组件,本发明一种碳化硅功率器件封装结构,通过“主动吸热‑强化传导‑动态散热”的三维散热体系,彻底解决传统封装散热效率低的问题。其中热量通过散热通道传递至吸热长管,通过热膨胀带动转杆转动,转杆带动螺旋叶轮旋转,加速螺旋状冷却水管内部冷却液循环流动,实现快速散热。
天眼查资料显示,无锡市乾野微纳科技有限公司,成立于2019年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡市乾野微纳科技有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息41条,此外企业还拥有行政许可8个。
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来源:市场资讯
发布于:北京市
